我們的優(yōu)勢

高分辨率

MEMS微加工工藝，使電化學(xué)芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10nm，極大減少了對電子束的干擾，液相環(huán)境可達(dá)到納米級分辨率。

高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計方案制約，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動大流量液體流經(jīng)樣品臺及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實流量流速控制。

2．采用納流控技術(shù)，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實現(xiàn)納升級微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險。

4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點。

優(yōu)異熱學(xué)性能

1．高精密紅外測溫校正，微米級高分辨熱場測量及校準(zhǔn)，確保溫度的準(zhǔn)確性。

3．超高頻控溫方式，排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響，測量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。

3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系，加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域，升溫降溫速度快，熱場穩(wěn)定且均勻，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動≤±0.1℃。

4．采用閉合回路高頻動態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01 ℃。

5．多級復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計，控制加熱過程熱擴(kuò)散，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實驗的高效觀察。

智能化軟件和自動化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實驗條件，全程自動記錄實驗細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。

2．自定義程序升溫曲線。可定義10步以上升溫程序、恒溫時間等，同時可手動控制目標(biāo)溫度及時間，在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫，可即時調(diào)整實驗方案，提升實驗效率。

3．內(nèi)置絕對溫標(biāo)校準(zhǔn)程序，每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化，重新進(jìn)行曲線擬合和校正，確保測量溫度精確性，保證加熱實驗的重現(xiàn)性及可靠性。

4．全流程配備精密自動化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實驗效率。

團(tuán)隊優(yōu)勢

1．團(tuán)隊帶頭人在原位液相發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨立設(shè)計原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項芯片patent。

3．團(tuán)隊20余人從事原位液相研究，可提供多個研究方向的原位實驗技術(shù)支持。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例

Electrochemical dissolution

Electrochemical deposition