透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿

簡要描述：透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿在搭載直徑3 mm銅網(wǎng)的傳統(tǒng)三維重構(gòu)樣品臺的基礎(chǔ)上延伸，采用彈頭的單軸旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行繞樣品臺全角度360°觀察，可以接受棒狀或圓錐形樣品。

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詳細(xì)介紹

TEM其它-全角度三維重構(gòu).png

CHIPNOVA Single-tilt Tomography Holders（全角度三維重構(gòu)樣品桿）在普通三維重構(gòu)樣品桿的基礎(chǔ)上升級而來，采用圓錐形單軸360°旋轉(zhuǎn)方式，全角度得到樣品更多二維成像信息，避免鍥形信息丟失。

我們的優(yōu)勢

創(chuàng)新設(shè)計(jì)

1.高強(qiáng)度鈦合金特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，高精度加工，經(jīng)久耐用。

2.C型針尖創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證銅網(wǎng)穩(wěn)定性，不會對EDS分析造成干擾。

3.可替換式針尖，方便同一樣品在TEM、FIB、AP等多平臺轉(zhuǎn)移，獲取更全面信息。

高質(zhì)量成像

1.單軸針尖可360°高精度旋轉(zhuǎn)，獲取更多二維成像信息，避免鍥形信息丟失。

2.C型針尖為3mmHalf-Grid設(shè)計(jì)，α角最大旋轉(zhuǎn)角度為±90°，避免樣品陰影，提供高質(zhì)量層析成像數(shù)據(jù)。

類別	項(xiàng)目	參數(shù)
基本參數(shù)	桿體材質(zhì)	高強(qiáng)度鈦合金
	樣品直徑	棒狀、圓錐形、3mm Half-Grid
	漂移率	＜0.5 nm/min（穩(wěn)定狀態(tài)）
	分辨率	電鏡極限分辨率
	兼容電鏡	Thermo Fisher/FEI，JEOL，Hitachi
	(HR)TEM/STEM	支持
	(HR)EDS/EELS/SAED	支持

電子斷層掃描對納米尺度地質(zhì)材料的三維分析

參考文獻(xiàn)來源：Three-dimensional Analyses of Geological Materials on Nanoscale by Electron Tomography[J]. Atomic Spectroscopy, 2022.

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最大傾斜角度為±54°、間隔為6°的一系列傾斜圖像重建結(jié)果。

同一樣品的元素和氧化態(tài)重構(gòu)模型的3D視圖。

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